Il crescente utilizzo di semiconduttori ad ampia banda proibita (wide bandgap), come il nitruro di gallio (GaN) e il carburo di silicio (SiC), nei convertitori di potenza ha permesso di realizzare alimentatori ad alta densità di potenza che funzionano con basse perdite di commutazione e una maggiore efficienza. Tuttavia, i vantaggi di questi transistor a commutazione rapida utilizzati nei convertitori di potenza possono essere limitati se non si considerano gli effetti parassiti che compaiono alle alte frequenze.
Il white paper offre un'introduzione e una descrizione degli effetti parassiti che insorgono nei componenti passivi quali condensatori, induttori e resistenze. Infine, descriviamo il funzionamento di base di un misuratore LCR e presentiamo una dimostrazione dell'utilizzo del misuratore LCR R&S®LCX200.